大家(jiā)好(hǎo)，来看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大杨梅是高糖还是低糖，杨梅是高糖还是低糖水果(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署杨梅是高糖还是低糖，杨梅是高糖还是低糖水果了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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