大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎch2是什么基团，chch3ch3是什么基团)律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm ch2是什么基团，chch3ch3是什么基团在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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