大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)回复好和好的的区别在哪里，好,好的区别迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险回复好和好的的区别在哪里，好,好的区别(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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