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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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