大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商珂润护肤品属于什么档次，珂润护肤品适合什么年龄。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客珂润护肤品属于什么档次，珂润护肤品适合什么年龄户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)珂润护肤品属于什么档次，珂润护肤品适合什么年龄上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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