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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商(shāng七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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