大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sānaj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么)星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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