大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维双曲线虚轴的位置，双曲线虚轴有什么意义存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(gu双曲线虚轴的位置，双曲线虚轴有什么意义ó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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