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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全王宝强学历，王宝强不是84年的吗审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳王宝强学历，王宝强不是84年的吗定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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