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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tó一寸是多长多少厘米，一寸是多长多宽u)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与一寸是多长多少厘米，一寸是多长多宽(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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