大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中古巴对中国人友好吗，古巴为什么对中国人这么好国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3古巴对中国人友好吗，古巴为什么对中国人这么好D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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