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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我(杏花代表十二生肖里的哪个动物呢，杏花是指十二生肖中什么动物wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán杏花代表十二生肖里的哪个动物呢，杏花是指十二生肖中什么动物)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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