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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约两斤大概有多重参照物，2斤有多重？11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一两斤大概有多重参照物，2斤有多重？(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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