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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn岭南大学位置在哪里啊，岭南大学在哪个城市)实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头岭南大学位置在哪里啊，岭南大学在哪个城市(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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