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n是正极还是负极,L是正极还是负极 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一(yī)则(zé)突(tū)发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息(xī),日(rì)前(qián),网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ),网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不(bùn是正极还是负极,L是正极还是负极)予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规,我国内关键n是正极还是负极,L是正极还是负极(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全审查(chá),目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全(quán),是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放,只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú),欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供应链安全,防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn),维护国家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》,网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头,也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一(yī),2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约,确(què)保存储晶圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势,公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

  有券(quàn)商此前就分(fēn)析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì),或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo),催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提升,以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长。

 

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