大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33兰州理工大学是一本还是二本 兰州理工大学是211吗.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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