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我国最穷的5个城市,哪一个省最穷

我国最穷的5个城市,哪一个省最穷 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则(zé)突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日(rì)前,网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发现,美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患(huàn),对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此,网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规(guī),我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查,目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购!

我国最穷的5个城市,哪一个省最穷

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》,网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》,对(duì)美光(guāng)公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出(chū)手(shǒu):停(tíng)止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公(gōng)司(sī)中,江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

  美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē),确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng),巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势,公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制,或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì),国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。我国最穷的5个城市,哪一个省最穷存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单,设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄(báo)膜沉积)等相关公(gōng)司份额提升(shēng),以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的我国最穷的5个城市,哪一个省最穷(de)华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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