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　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRA毕业2年之内都算应届吗，21年毕业生23年算应届吗M （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。毕业2年之内都算应届吗，21年毕业生23年算应届吗>

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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