大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi)女人出国能干什么工作，女人出国打工都有什么工作 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓女人出国能干什么工作，女人出国打工都有什么工作荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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