大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(q嫡仙出自哪里，嫡仙怎么读音念diuán)审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng嫡仙出自哪里，嫡仙怎么读音念di)主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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