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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％含盐率公式的3种，盐水的含盐率公式降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上含盐率公式的3种，盐水的含盐率公式(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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